? 非破壞性測試：無需制備特殊電極，直接接觸器件焊盤

? 高靈活性：可快速更換樣品或調整磁場/溫度參數

? 多參數協同分析：結合電、磁、光、熱等多物理場測量

? 磁場靈活可調

? 樣品臺安裝運動形式可選

? 支持多探針座探針

?多樣式探針靈活應用；可選DC、RF、光纖探針

一、核心技術參數

◆磁場強度：0T-3T（根據樣品臺大小和最大磁場強度而定）

◆冷卻方式：水冷/自然冷卻（由功率決定）

◆磁場均勻性：±0.1% 在5mm×5mm范圍內

◆磁場方向：水平/垂直可選

◆磁場穩定性：≤0.1%/h（選配霍爾探頭形成閉環，實時反饋控制）

◆探針類型：DC探針、高頻探針、光纖探針

◆接觸電阻：≤10mΩ（鍍金探針）

◆探針座行程：標準配置XYZ±6.5mm、定位精度3μm、其它行程和定位精度可選

◆探針座固定方式：螺絲固定、磁性、氣吸

◆樣品尺寸：高達6"晶圓（樣品直徑對磁場大小有影響）

◆位移精度：標準配置XY±12.5mm、Z±5mm、定位精度10μm、可選樣品臺旋轉功能（電動/手動）

◆調整方式：手動/電動

◆樣品固定方式：氣吸

◆環境控制（可選）：真空/氣氛控制、溫度選件

二、核心特點

◆無需低溫系統，操作便捷；省去液氦/液氮制冷，適合工業級快速測試

◆ 高兼容性，模塊化設計：支持多種探針（DC、高頻、光纖、磁性）、可集成光學顯微鏡、拉曼光譜、光電測試模塊

◆ 智能化控制：軟件控制磁場掃描、數據采集（LabVIEW）

◆工業級穩定性（選件）：抗電磁干擾（EMI）屏蔽設計；抗震結構，適合實驗室

三、核心用途

◆磁場依賴性研究

提供可控的靜態或動態磁場（方向、強度可調），用于研究材料或器件的磁阻效應（如GMR、TMR）、霍爾效應、磁化曲線、自旋電子學特性等

◆微納器件電學測試

在磁場環境下測量器件的電流-電壓（IV）、電容-電壓（CV）、阻抗等特性，適用于半導體器件（如晶體管、二極管）、磁性傳感器（如霍爾元件）、自旋閥器件等

◆高溫與磁場聯用

可結合高溫系統，磁場與高溫聯用，測量材料或者器件高溫磁場下的電磁屬性

◆光電與磁光測試

搭配光源或激光器，可分析磁場對材料光電流、發光效率（如LED、光伏器件）或磁光效應（如法拉第旋轉）的影響

◆科研與工業開發

廣泛應用于凝聚態物理、材料科學、集成電路可靠性測試、磁性存儲器（MRAM）研發等領域

四、典型應用

◆自旋電子學：測試自旋注入效率或磁隧道結（MTJ）器件的磁電阻

◆ 拓撲材料：研究狄拉克材料在磁場下的量子輸運行為

◆ 半導體工藝驗證：評估磁場對新型晶體管（如FinFET）性能的影

◆ 傳感器校準：標定磁敏傳感器的線性度、靈敏度等參

五、配套儀表（選件）：源表（SMU）、鎖相放大器、數據采集系統等、電壓表、矩陣開關系統、其它可用儀表